- ± (0.01 % + 2mΩ)의 정밀도 정확도
- 0.01 Ω ~ 11.1111 MΩ의 저항 범위
- 4 가지 모델을 사용할 수 있으며, 각 모델은 60 년을 포괄합니다.
- 고성능 솔리드 - 실버 합금 접촉부
- 낮은 제로 저항 <6mΩ
- 향상된 사양 및 디자인
- 좋은 주파수 특성
- 낮은 온도 계수
- 탁월한 안정성
- 랙 마운트 옵션
향상된 사양 및 디자인
IET는 esi / Tegam의 DB62 10 년 저항에 대한 사양을 향상 시켰습니다. 이 Decade Resistors는 주로 ± 0.01 %의 우수한 정확도, 안정성 및 낮은 제로 저항이 중요한 정밀 측정 어플리케이션에 사용됩니다.
esi DB62 Dekabox In-Line Decade Resistor는 오디오 주파수 애플리케이션을 통해 정밀 DC에서 신뢰할 수있는 장기 서비스를 제공합니다. 60 년 동안 비유도적이고 정밀한 전선 고정 저항기가 저잡음 차폐 알루미늄 하우징에 장착되었습니다.
esi DB62 10 년 저항은 사용하기 쉽습니다. 입력 단자와 케이스 연결 접지 단자는 편리하게 전면 패널에 있습니다. 다이얼은 설정을 단순화하고 속도를 높이기 위해 독립적으로 360도 회전합니다. 이렇게하면 대략적인 근사값을 얻을 수 있고 정확한 정밀 저항 값을 제공하는 정밀한 단계가 가능합니다.
온도 및 전력 계수가 좋은 저항기를 사용하면 광범위한 주변 조건에서 정확성을 확보 할 수 있습니다. 솔리드 합금의 접점이 여러 개있는 스위치를 사용하면 반복성이 보장됩니다. Dekabox 저항 값은 노브 위의 큰 숫자 인라인 프레젠테이션에서 쉽게 읽을 수 있습니다. 운전자 편의 및 회로 안전을 위해 각 단계 당 저항과 각 10 년의 전류 정격이 노브 위에 표시됩니다.
다른 범위 또는 덜 엄격한 공차가 필요한 경우 IET HARS 시리즈 십진수 상자를 고려하십시오.
모델
esi DB62-11K : 범위 0.01 Ω - 11.1111 k Ω
esi DB62-111K : 범위 0.1 Ω - 111.111 k Ω
esi DB62-1M : 범위 1 Ω - 1.11111 MΩ
esi DB62-11M : 범위 10 Ω - 11.1111 MΩ
Accuracy: ±(0.01% + 2 mΩ) after subtraction of zero resistance, at 23°C; traceable to SI
Zero Resistance: <1 mΩ per decade at dc
Maximum Voltage to Case: 2000 V peak
Switches: Continuous rotation 11 positions marked "0"-"10" Multiple solid silver-alloy contacts
Resistance per step | Total decade resistance | Stability (±ppm/yr) | Long-term stability (±ppm/3 yrs) | Temperature coefficient (±ppm/°C) | Resistor type | Max current | Max voltage (per step) | Max power (per step) |
10 mΩ | 100 mΩ | 50 | 75 | 20 | Resistance wire | 4 A | 40 mV | 0.16 W |
100 mΩ | 1 Ω | 50 | 75 | 20 | 1.6 A | 0.16 V | 0.25 W | |
1 Ω | 10 Ω | 20 | 25 | 20 | Wirewound, non-inductive | 0.8 A | 0.8 V | 0.6 W |
10 Ω | 100 Ω | 20 | 25 | 15 | 0.25 A | 2.5 V | 0.6 W | |
100 Ω | 1 kΩ | 20 | 25 | 5 | 80 mA | 8 V | 0.6 W | |
1 kΩ | 10 kΩ | 20 | 25 | 5 | 23 mA | 23 V | 0.5 W | |
10 kΩ | 100 kΩ | 20 | 25 | 5 | 7 mA | 70 V | 0.5 W | |
100 kΩ | 1 MΩ | 20 | 25 | 5 | 2.3 mA* | 230 V* | 0.5 W* | |
1 MΩ | 10 MΩ | 20 | 25 | 10 | 0.7 mA* | 700 V* | 0.5 W* | |
*Subject to maximum of 2000 V to case. |